針對目前 TSV 工藝中的技術難點，蘇州甫一電子科技有限公司采用復合刻蝕技術實現高深寬比結構的微孔制備，采用獨特的薄膜沉積技術構建均勻致密的絕緣層，通過精密電沉積技術進行金屬互連微通道填充，可以有效控制互連微通道的形貌，以有效解決高密度互連中的散熱問題。并通過綜合性減薄技術，有效實現超薄 TSV 轉接板的加工，解決在 TSV 三維封裝中減薄工藝容易裂片的問題，實現 TSV 三維封裝的產業化開拓了道路。

采用半導體工藝，

加工具有高的深寬比微納米孔。

硅通孔技術可以通過垂直互連減小互聯長度，減小信號延遲，降低電容/電感，實現芯片間的低功耗，高速通訊，增加寬帶和實現器件集成的小型化。

廣泛應用于射頻、存儲、通訊等芯片的三維封裝領域。